IRFHM8363TRPBF
Osa numero:
IRFHM8363TRPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19864 Pieces
Tietolomake:
IRFHM8363TRPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFHM8363TRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFHM8363TRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFHM8363TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Toimittaja Device Package:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:14.9 mOhm @ 10A, 10V
Virta - Max:2.7W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerVDFN
Muut nimet:SP001565948
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRFHM8363TRPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1165pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:11A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit