IRFI620G
IRFI620G
Osa numero:
IRFI620G
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16719 Pieces
Tietolomake:
IRFI620G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFI620G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFI620G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFI620G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:800 mOhm @ 2.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):30W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Muut nimet:*IRFI620G
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRFI620G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:260pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 200V 4.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.1A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit