Ostaa IRFI620G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRFI620G
- Osa numero:
- IRFI620G
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16719 Pieces
- Tietolomake:
- IRFI620G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRFI620G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFI620G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220-3 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 800 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 30W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Muut nimet: | *IRFI620G |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRFI620G |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 260pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 4.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRFI620G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFI630G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI644G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI624G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI620 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI614GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI644GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI630GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI620GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI634G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI614G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI624GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI640G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI610G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP | tiedustelu |
|
IRFI640GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog