Ostaa IRFPE50PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-247-3 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 4.7A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 190W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
Muut nimet: | *IRFPE50PBF |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 11 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IRFPE50PBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3100pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 800V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 800V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |