Ostaa IRFPS3810PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRFPS3810PBF
- Osa numero:
- IRFPS3810PBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19899 Pieces
- Tietolomake:
- IRFPS3810PBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRFPS3810PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFPS3810PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SUPER-247 (TO-274AA) |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 9 mOhm @ 100A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 580W (Tc) |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-274AA |
| Muut nimet: | *IRFPS3810PBF SP001566934 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IRFPS3810PBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6790pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 390nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 170A (Tc) 580W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 170A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRFPS3810PBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFPS3810 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 | tiedustelu |
 |
AUIRFL024NTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 | tiedustelu |
|
IRFPS3815PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247 | tiedustelu |
 |
IRFR9210 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK | tiedustelu |
 |
FDP7N60NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220 | tiedustelu |
 |
IPS65R600E6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | tiedustelu |
 |
IXFV30N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD | tiedustelu |
 |
IPI120N10S405AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 | tiedustelu |
 |
IRFH7110TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6 | tiedustelu |
 |
IXTP70N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 70A TO-220 | tiedustelu |
 |
AO8807L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8TSSOP | tiedustelu |
 |
FCD900N60Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3 | tiedustelu |
 |
FQB3N90TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog