Ostaa IRFR18N15DTRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D-Pak |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 11A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 110W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | IRFR18N15DTRPBF-ND IRFR18N15DTRPBFTR SP001556822 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IRFR18N15DTRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Valua lähde jännite (Vdss): | 150V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |