Ostaa IRFS17N20DPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D2PAK |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 170 mOhm @ 9.8A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.8W (Ta), 140W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | *IRFS17N20DPBF SP001567586 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRFS17N20DPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |