Ostaa IRFS31N20DPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRFS31N20DPBF
- Osa numero:
- IRFS31N20DPBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15028 Pieces
- Tietolomake:
- IRFS31N20DPBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRFS31N20DPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFS31N20DPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 82 mOhm @ 18A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | *IRFS31N20DPBF SP001567562 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRFS31N20DPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2370pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 107nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 31A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRFS31N20DPBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFS31N20DTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS31N20DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS31N20DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS33N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS3107PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS31N20DTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS3307 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRFS3107-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7 | tiedustelu |
|
IRFS3207ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK7 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog