Ostaa IRFS9N60A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRFS9N60A
- Osa numero:
- IRFS9N60A
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17182 Pieces
- Tietolomake:
- IRFS9N60A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRFS9N60A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFS9N60A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 750 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 170W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | *IRFS9N60A |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRFS9N60A |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRFS9N60A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFS9N60ATRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | tiedustelu |
 |
SPD04N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK | tiedustelu |
|
IRFS9N60APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF7807D1TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IRFR3711ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK | tiedustelu |
 |
CSD16340Q3T | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | tiedustelu |
 |
TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP | tiedustelu |
|
IRFS9N60ATRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS9N60ATRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS9N60ATRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog