IRFSL3206PBF
IRFSL3206PBF
Osa numero:
IRFSL3206PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18971 Pieces
Tietolomake:
IRFSL3206PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFSL3206PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFSL3206PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFSL3206PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 150µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-262
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:3 mOhm @ 75A, 10V
Tehonkulutus (Max):300W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:SP001578476
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IRFSL3206PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6540pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit