Ostaa IRFU220BTU_F080 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRFU220BTU_F080
- Osa numero:
- IRFU220BTU_F080
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17935 Pieces
- Tietolomake:
- IRFU220BTU_F080.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRFU220BTU_F080, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFU220BTU_F080 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | I-Pak |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 800 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRFU220BTU_F080 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 390pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 4.6A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRFU220BTU_F080
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFU220BTU_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | tiedustelu |
|
IRFU214BTU_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK | tiedustelu |
|
IRFU220_R4941 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK | tiedustelu |
|
IRFU220BTU_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | tiedustelu |
 |
APT11F80S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | tiedustelu |
 |
SQM47N10-24L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 47A TO263 | tiedustelu |
|
IRFZ48STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | tiedustelu |
 |
NP60N04NUK-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 60A TO-220 | tiedustelu |
 |
CPH6341-M-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 | tiedustelu |
 |
IRF9335TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
RSS130N03FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC | tiedustelu |
 |
STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog