Ostaa IRGB6B60KDPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRGB6B60KDPBF
- Osa numero:
- IRGB6B60KDPBF
- Kuvaus:
- IGBT 600V 13A 90W TO220AB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16319 Pieces
- Tietolomake:
- IRGB6B60KDPBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRGB6B60KDPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRGB6B60KDPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.2V @ 15V, 5A |
| Testaa kunto: | 400V, 5A, 100 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 25ns/215ns |
| Switching Energy: | 110µJ (on), 135µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 70ns |
| Virta - Max: | 90W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Muut nimet: | *IRGB6B60KDPBF SP001532684 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRGB6B60KDPBF |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | NPT |
| Gate Charge: | 18.2nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-220AB |
| Kuvaus: | IGBT 600V 13A 90W TO220AB |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 26A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 13A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRGB6B60KDPBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGB6B60KPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 90W TO220AB | tiedustelu |
 |
STGW30M65DF2 | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | tiedustelu |
 |
IXGT10N170A | IXYS | IGBT 1700V 10A 140W TO268 | tiedustelu |
 |
IXGT6N170A | IXYS | IGBT 1700V 6A 75W TO268 | tiedustelu |
 |
APT25GR120S | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | tiedustelu |
 |
IXSH35N120A | IXYS | IGBT 1200V 70A 300W TO247 | tiedustelu |
 |
NGTB15N135IHRWG | ON Semiconductor | IGBT 1350V 15A TO247-3 | tiedustelu |
 |
HGTP12N60C3 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 24A 104W TO220AB | tiedustelu |
 |
IRG7CH75UEF-R | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | tiedustelu |
 |
MGD623N | Sanken | IGBT 600V 50A 150W TO3P | tiedustelu |
|
NGTB25N120FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 25A TO247-3 | tiedustelu |
 |
NGB18N40CLBT4G | ON Semiconductor | IGBT 430V 18A 115W D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog