Ostaa IRL3102STRR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 700mV @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D2PAK |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 13 mOhm @ 37A, 7V |
Tehonkulutus (Max): | 89W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRL3102STRR |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 61A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 61A (Tc) |
Email: | [email protected] |