Ostaa IRL510PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRL510PBF
- Osa numero:
- IRL510PBF
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14207 Pieces
- Tietolomake:
- 1.IRL510PBF.pdf2.IRL510PBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRL510PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRL510PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 540 mOhm @ 3.4A, 5V |
| Tehonkulutus (Max): | 43W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Muut nimet: | *IRL510PBF |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 11 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IRL510PBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.1nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 5V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRL510PBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | tiedustelu |
 |
STD13NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | tiedustelu |
 |
IRFBC40AS | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | tiedustelu |
 |
NTD3808NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 16V 12A DPAK | tiedustelu |
|
IRL510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | tiedustelu |
 |
PMV37EN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23 | tiedustelu |
 |
IRL510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | tiedustelu |
 |
FQPF46N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 25.6A TO-220F | tiedustelu |
 |
IXTQ140N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers