Ostaa IRL630STRR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRL630STRR
- Osa numero:
- IRL630STRR
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12123 Pieces
- Tietolomake:
- IRL630STRR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRL630STRR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRL630STRR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 5.4A, 5V |
| Tehonkulutus (Max): | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRL630STRR |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRL630STRR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL630SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRL630 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB | tiedustelu |
|
IRL630STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL630STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | tiedustelu |
 |
FQPF12N60T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F | tiedustelu |
 |
SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | tiedustelu |
 |
PSMN7R6-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL630PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IPD122N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 | tiedustelu |
|
IRL630S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRFPS38N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247 | tiedustelu |
 |
STP5NB40 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 4.7A TO-220 | tiedustelu |
|
IRL630STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog