IRL6372TRPBF
IRL6372TRPBF
Osa numero:
IRL6372TRPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18681 Pieces
Tietolomake:
IRL6372TRPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRL6372TRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRL6372TRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRL6372TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.1V @ 10µA
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Virta - Max:2W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:IRL6372TRPBFTR
SP001569038
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:15 Weeks
Valmistajan osanumero:IRL6372TRPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1020pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8.1A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit