Ostaa IRL8113L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRL8113L
- Osa numero:
- IRL8113L
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14956 Pieces
- Tietolomake:
- IRL8113L.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRL8113L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRL8113L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.25V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-262 |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 21A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 110W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Muut nimet: | *IRL8113L |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRL8113L |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2840pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 105A TO-262 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 105A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRL8113L
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL8113STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL8113S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL8113STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL8113SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRL8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB | tiedustelu |
|
IRL8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IRL8113LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A TO-262 | tiedustelu |
|
IRL8114PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB | tiedustelu |
|
IRL8113STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL8113STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog