IRL8113L
IRL8113L
Osa numero:
IRL8113L
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14956 Pieces
Tietolomake:
IRL8113L.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRL8113L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRL8113L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRL8113L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.25V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-262
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 21A, 10V
Tehonkulutus (Max):110W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:*IRL8113L
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRL8113L
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2840pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:105A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit