IRLD014PBF
IRLD014PBF
Osa numero:
IRLD014PBF
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18381 Pieces
Tietolomake:
IRLD014PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRLD014PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRLD014PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRLD014PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:200 mOhm @ 1A, 5V
Tehonkulutus (Max):1.3W (Ta)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Muut nimet:*IRLD014PBF
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:IRLD014PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.4nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4V, 5V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.7A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit