Ostaa IRLHM630TR2PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 50µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PQFN (3x3) |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | 8-VQFN Exposed Pad |
Muut nimet: | IRLHM630TR2PBFDKR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRLHM630TR2PBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 21A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |