IRLHM630TR2PBF
IRLHM630TR2PBF
Osa numero:
IRLHM630TR2PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14158 Pieces
Tietolomake:
IRLHM630TR2PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRLHM630TR2PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRLHM630TR2PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRLHM630TR2PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.1V @ 50µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PQFN (3x3)
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):2.7W (Ta), 37W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:8-VQFN Exposed Pad
Muut nimet:IRLHM630TR2PBFDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRLHM630TR2PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3170pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit