Ostaa IRLHS6342TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRLHS6342TRPBF
- Osa numero:
- IRLHS6342TRPBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18740 Pieces
- Tietolomake:
- IRLHS6342TRPBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRLHS6342TRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRLHS6342TRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 10µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 6-PQFN (2x2) |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.1W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-PowerVDFN |
| Muut nimet: | IRLHS6342TRPBF-ND IRLHS6342TRPBFTR SP001573840 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IRLHS6342TRPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1019pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8.7A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRLHS6342TRPBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLHS2242TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN | tiedustelu |
|
IRLHS6242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 10A PQFN | tiedustelu |
 |
IRLHS6276TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | tiedustelu |
|
IRLHS6376TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN | tiedustelu |
|
IRLHS6276TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | tiedustelu |
|
IRLHS6376TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN | tiedustelu |
|
IRLHS6342TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN | tiedustelu |
|
IRLHS6242TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 10A PQFN | tiedustelu |
|
IRLHS2242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog