Ostaa IRLI620G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220-3 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 800 mOhm @ 2.4A, 5V |
Tehonkulutus (Max): | 30W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Muut nimet: | *IRLI620G |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRLI620G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |