Ostaa IRLR2908TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRLR2908TRPBF
- Osa numero:
- IRLR2908TRPBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17822 Pieces
- Tietolomake:
- IRLR2908TRPBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRLR2908TRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRLR2908TRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D-Pak |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 23A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 120W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | IRLR2908TRPBF-ND SP001553170 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IRLR2908TRPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1890pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 80V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 80V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRLR2908TRPBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLR2905ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2905PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2905TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2908TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2905CPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 36A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2905Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2908PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2905TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2905ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
|
IRLR2905TRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog