Ostaa IRLS4030PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRLS4030PBF
- Osa numero:
- IRLS4030PBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16148 Pieces
- Tietolomake:
- IRLS4030PBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRLS4030PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRLS4030PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 110A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 370W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | SP001568730 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRLS4030PBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 11360pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRLS4030PBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | tiedustelu |
 |
MTM862270LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6 | tiedustelu |
 |
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | tiedustelu |
 |
SPN01N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223 | tiedustelu |
|
IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | tiedustelu |
 |
RCJ081N20TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 8A LPT | tiedustelu |
 |
DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R | tiedustelu |
 |
IPD90P04P405AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 | tiedustelu |
 |
IPW60R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 | tiedustelu |
|
IRLL3303TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | tiedustelu |
 |
SPP80N10L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog