Ostaa IRLZ24NSTRL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRLZ24NSTRL
- Osa numero:
- IRLZ24NSTRL
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14441 Pieces
- Tietolomake:
- IRLZ24NSTRL.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRLZ24NSTRL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRLZ24NSTRL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 11A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRLZ24NSTRL |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 480pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 18A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRLZ24NSTRL
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLZ24NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 18A TO-262 | tiedustelu |
|
IRLZ24NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 18A TO-262 | tiedustelu |
 |
IRLZ24NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK | tiedustelu |
|
IRLZ24NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK | tiedustelu |
|
IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 13A TO-263 | tiedustelu |
 |
AUIRLR2905Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | tiedustelu |
 |
STU60N55F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A IPAK | tiedustelu |
|
IRLZ24NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK | tiedustelu |
|
IRLZ24NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRLZ24NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB | tiedustelu |
 |
SI8809EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT | tiedustelu |
 |
BUK7535-100A,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB | tiedustelu |
 |
IXKF40N60SCD1 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog