Ostaa ISL9N303AP3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
ISL9N303AP3
- Osa numero:
- ISL9N303AP3
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14614 Pieces
- Tietolomake:
- 1.ISL9N303AP3.pdf2.ISL9N303AP3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä ISL9N303AP3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ISL9N303AP3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | UltraFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 75A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 215W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | ISL9N303AP3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7000pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 172nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 75A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat ISL9N303AP3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ISL9N302AP3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB | tiedustelu |
|
ISL9N302AS3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA | tiedustelu |
 |
ISL9N303AS3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | tiedustelu |
|
ISL9N303AS3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA | tiedustelu |
|
ISL9N302AS3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | tiedustelu |
 |
IXFN130N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B | tiedustelu |
 |
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | tiedustelu |
 |
SQ3425EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers