Ostaa IXBN75N170A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXBN75N170A
- Osa numero:
- IXBN75N170A
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- IC TRANS BIPO 1700V SOT-227
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12599 Pieces
- Tietolomake:
- IXBN75N170A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXBN75N170A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXBN75N170A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1700V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 6V @ 15V, 42A |
| Toimittaja Device Package: | SOT-227B |
| Sarja: | BIMOSFET™ |
| Virta - Max: | 625W |
| Pakkaus / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC Thermistor: | No |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXBN75N170A |
| Input kapasitanssi (Cies) @ Vce: | 7.4nF @ 25V |
| panos: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | - |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Module Single 1700V 75A 625W Chassis Mount SOT-227B |
| Kuvaus: | IC TRANS BIPO 1700V SOT-227 |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 50µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 75A |
| kokoonpano: | Single |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXBN75N170A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT35X120T3G | Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 | tiedustelu |
 |
IXBN75N170 | IXYS | IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B | tiedustelu |
 |
CPV362M4F | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2 | tiedustelu |
 |
IRG5K50HF06A | Infineon Technologies | MOD IGBT 600V 50A POWIR 34 | tiedustelu |
 |
APTGT50H120T3G | Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | tiedustelu |
 |
APT100GT120JRDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | tiedustelu |
|
APTGT75DA120D1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 110A 357W D1 | tiedustelu |
 |
FMS6G10US60 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 10A 25PM-AA | tiedustelu |
 |
APTGF350A60G | Microsemi Corporation | POWER MODULE IGBT 600V 350A SP6 | tiedustelu |
|
VII50-06P1 | IXYS | MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog