Ostaa IXFA12N50P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFA12N50P
- Osa numero:
- IXFA12N50P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19375 Pieces
- Tietolomake:
- IXFA12N50P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFA12N50P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFA12N50P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 1mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263 (IXFA) |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 500 mOhm @ 6A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 200W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFA12N50P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1830pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 12A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFA12N50P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 5A TO252 | tiedustelu |
 |
IXFA130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | tiedustelu |
|
IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | tiedustelu |
|
IXFA16N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA | tiedustelu |
|
IXFA16N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA | tiedustelu |
 |
DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A TO252 | tiedustelu |
|
IXFA14N85XHV | IXYS | MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3 | tiedustelu |
 |
SIHJ10N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 10A SO8 | tiedustelu |
|
IXFA14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK | tiedustelu |
|
IXFA180N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA | tiedustelu |
 |
APT28F60S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK | tiedustelu |
|
IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | tiedustelu |
|
IXFA14N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA | tiedustelu |
|
IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | tiedustelu |
|
IXFA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | tiedustelu |
 |
IXFX80N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247 | tiedustelu |
 |
IXFH10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFA18N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA | tiedustelu |
|
IXFA16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK | tiedustelu |
|
IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog