Ostaa IXFA4N100Q-TRL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFA4N100Q-TRL
- Osa numero:
- IXFA4N100Q-TRL
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19487 Pieces
- Tietolomake:
- IXFA4N100Q-TRL.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFA4N100Q-TRL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFA4N100Q-TRL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263 (IXFA) |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 150W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | IXFA4N100Q TRL IXFA4N100Q-TRL-ND IXFA4N100Q-TRLTR IXFA4N100QTRL Q6067406 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFA4N100Q-TRL |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1050pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFA4N100Q-TRL
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7807TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IXFA4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK | tiedustelu |
 |
RTL030P02TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6 | tiedustelu |
 |
IPP80N06S209AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | tiedustelu |
|
IXFA4N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | tiedustelu |
 |
IXFA4N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263-3 | tiedustelu |
 |
NP88N04NUG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 88A TO-262 | tiedustelu |
|
IXFA4N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA | tiedustelu |
 |
FQPF4P40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 400V 2.4A TO-220F | tiedustelu |
 |
SPI20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 | tiedustelu |
 |
PMN25EN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP | tiedustelu |
 |
AOW14N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 14A TO262 | tiedustelu |
 |
SI4396DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog