Ostaa IXFB100N50P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFB100N50P
- Osa numero:
- IXFB100N50P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17407 Pieces
- Tietolomake:
- IXFB100N50P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFB100N50P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFB100N50P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PLUS264™ |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 49 mOhm @ 50A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1890W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-264-3, TO-264AA |
| Käyttölämpötila: | - |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXFB100N50P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 20000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 100A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFB100N50P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFB132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 | tiedustelu |
 |
NTMFS4C250NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL | tiedustelu |
 |
TPH3208PS | Transphorm | GAN FET 650V 20A TO220 | tiedustelu |
|
IXFB100N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | tiedustelu |
 |
CSD17551Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 8SON | tiedustelu |
 |
FDU8796_F071 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK | tiedustelu |
 |
DMN66D0LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323 | tiedustelu |
 |
IXFH88N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 88A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFB110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 | tiedustelu |
 |
FQP5N50C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 | tiedustelu |
|
IXFB120N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264 | tiedustelu |
|
IXFB170N30P | IXYS | MOSFET N-CH TO-264 | tiedustelu |
|
IXFB150N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 | tiedustelu |
 |
IXFV18N90PS | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD | tiedustelu |
 |
IRFL9014TR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | tiedustelu |
 |
BSP89 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog