Ostaa IXFH18N60P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFH18N60P
- Osa numero:
- IXFH18N60P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16350 Pieces
- Tietolomake:
- IXFH18N60P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFH18N60P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFH18N60P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247AD (IXFH) |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 360W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFH18N60P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFH18N60P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH160N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH18N90P | IXYS | MOSFET N-CH TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 | tiedustelu |
 |
IXFH18N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH160N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH12N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH18N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH150N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 | tiedustelu |
 |
IXFH14N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3 | tiedustelu |
|
IXFH15N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH12N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH17N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog