Ostaa IXFH22N60P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFH22N60P
- Osa numero:
- IXFH22N60P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17035 Pieces
- Tietolomake:
- IXFH22N60P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFH22N60P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFH22N60P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 4mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247AD (IXFH) |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 350 mOhm @ 11A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 400W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFH22N60P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 22A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFH22N60P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH20N85X | IXYS | 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS | tiedustelu |
 |
IXFH220N06T3 | IXYS | 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | tiedustelu |
|
IXFH22N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO247 | tiedustelu |
|
IXFH28N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH22N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 22A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH230N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 230A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH22N55 | IXYS | MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH20N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH20N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH21N50F | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO247 | tiedustelu |
|
IXFH26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH20N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers