Ostaa IXFH34N65X2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFH34N65X2
- Osa numero:
- IXFH34N65X2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18651 Pieces
- Tietolomake:
- IXFH34N65X2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFH34N65X2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFH34N65X2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 17A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 540W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFH34N65X2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3330pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 56nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 34A TO-247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFH34N65X2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH36N55Q | IXYS | MOSFET N-CH 550V 36A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH30N40Q | IXYS | MOSFET N-CH 400V 30A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH30N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH30N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH30N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | tiedustelu |
 |
IXFH30N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 30A TO247-3 | tiedustelu |
|
IXFH30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH340N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 340A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH34N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 34A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH30N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH36N55Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 550V 36A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH32N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH35N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH320N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 320A TO-247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers