IXFK30N110P
IXFK30N110P
Osa numero:
IXFK30N110P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12129 Pieces
Tietolomake:
IXFK30N110P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFK30N110P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFK30N110P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFK30N110P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:6.5V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-264AA (IXFK)
Sarja:HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max):960W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-264-3, TO-264AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXFK30N110P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:13600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:235nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1100V (1.1kV) 30A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Valua lähde jännite (Vdss):1100V (1.1kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit