Ostaa IXFN100N50Q3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 6.5V @ 8mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SOT-227B |
Sarja: | HiPerFET™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 49 mOhm @ 50A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 960W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Chassis Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IXFN100N50Q3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 13800pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 255nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 82A 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 82A |
Email: | [email protected] |