IXFN100N50Q3
IXFN100N50Q3
Osa numero:
IXFN100N50Q3
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19143 Pieces
Tietolomake:
IXFN100N50Q3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFN100N50Q3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFN100N50Q3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFN100N50Q3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:6.5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-227B
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:49 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):960W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:4 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFN100N50Q3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:13800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:255nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 82A 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:82A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit