Ostaa IXFN80N50 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFN80N50
- Osa numero:
- IXFN80N50
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16694 Pieces
- Tietolomake:
- IXFN80N50.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFN80N50, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFN80N50 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-227B |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 780W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFN80N50 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 9890pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 380nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 80A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 80A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFN80N50
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN80N48 | IXYS | MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B | tiedustelu |
|
IXFN80N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | tiedustelu |
 |
AO7414 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3 | tiedustelu |
|
IXFN80N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 | tiedustelu |
 |
BSZ042N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | tiedustelu |
|
IXFN82N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 | tiedustelu |
 |
SI2341DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 | tiedustelu |
 |
NVD6414ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 34A DPAK | tiedustelu |
|
IXFN82N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B | tiedustelu |
|
IXFN80N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 | tiedustelu |
|
IXFN80N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B | tiedustelu |
 |
IRL60SL216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog