IXFP180N10T2
IXFP180N10T2
Osa numero:
IXFP180N10T2
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18601 Pieces
Tietolomake:
IXFP180N10T2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFP180N10T2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFP180N10T2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFP180N10T2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
RDS (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):480W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFP180N10T2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:10500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:185nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220AB
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit