Ostaa IXFQ24N50P2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFQ24N50P2
- Osa numero:
- IXFQ24N50P2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- 500V POLAR2 HIPERFETS
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Ei sovelleta / Ei sovelleta
- Saatavana oleva määrä:
- 18676 Pieces
- Tietolomake:
- IXFQ24N50P2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFQ24N50P2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFQ24N50P2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-3P |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 480W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFQ24N50P2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2890pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 24A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | 500V POLAR2 HIPERFETS |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFQ24N50P2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFQ28N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 28A TO3P | tiedustelu |
|
IXFQ24N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P | tiedustelu |
 |
APTC80SK15T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | tiedustelu |
|
IXFQ26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 | tiedustelu |
 |
IXFQ23N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) | tiedustelu |
|
IXFQ24N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P | tiedustelu |
 |
CDM3-800 TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 3A 800V DPAK | tiedustelu |
|
IXFQ26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | tiedustelu |
 |
FDS8884 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IRL3303PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB | tiedustelu |
|
IXFQ26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | tiedustelu |
 |
IRLL1905TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223 | tiedustelu |
 |
SUM110P08-11-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK | tiedustelu |
|
IXFQ21N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P | tiedustelu |
|
IXFQ20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P | tiedustelu |
|
IXFQ22N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO3P | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers