Ostaa IXFR24N80P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFR24N80P
- Osa numero:
- IXFR24N80P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19242 Pieces
- Tietolomake:
- IXFR24N80P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFR24N80P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFR24N80P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | ISOPLUS247™ |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 420 mOhm @ 12A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 208W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | ISOPLUS247™ |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFR24N80P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 800V 13A (Tc) 208W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 800V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFR24N80P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR25N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR24N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR24N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR20N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR24N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR20N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR24N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR26N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog