IXFR66N50Q2
IXFR66N50Q2
Osa numero:
IXFR66N50Q2
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18150 Pieces
Tietolomake:
IXFR66N50Q2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFR66N50Q2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFR66N50Q2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFR66N50Q2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:ISOPLUS247™
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 33A, 10V
Tehonkulutus (Max):500W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:ISOPLUS247™
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXFR66N50Q2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:9125pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 50A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit