Ostaa IXFT36N60P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFT36N60P
- Osa numero:
- IXFT36N60P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12397 Pieces
- Tietolomake:
- IXFT36N60P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFT36N60P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFT36N60P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-268 |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 18A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 650W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXFT36N60P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 102nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 36A (Tc) 650W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFT36N60P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 | tiedustelu |
 |
IXFT32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 | tiedustelu |
 |
IXFT30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 | tiedustelu |
|
IXFT320N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 | tiedustelu |
 |
DMN3112SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP | tiedustelu |
 |
FDD6N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK | tiedustelu |
 |
IXFT30N85XHV | IXYS | MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3 | tiedustelu |
|
IXFT30N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | tiedustelu |
 |
RFP30N06LE | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB | tiedustelu |
|
IXFT30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 | tiedustelu |
 |
RJK5014DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 19A TO220 | tiedustelu |
 |
IXFH22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFT30N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3) | tiedustelu |
|
IXFT30N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT32N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | tiedustelu |
 |
6HP04CH-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69 | tiedustelu |
 |
SI4378DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC | tiedustelu |
|
IXFT340N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 340A TO268 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog