Ostaa IXFT4N100Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1.5mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-268 |
Sarja: | HiPerFET™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 150W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IXFT4N100Q |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1050pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-268 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |