Ostaa IXFT50N60X BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFT50N60X
- Osa numero:
- IXFT50N60X
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 50A TO268
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16856 Pieces
- Tietolomake:
- IXFT50N60X.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFT50N60X, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFT50N60X sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-268 |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 73 mOhm @ 25A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 660W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFT50N60X |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4660pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 116nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 50A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFT50N60X
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT50N85XHV | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | tiedustelu |
|
IXFT50N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT58N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 | tiedustelu |
|
IXFT52N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 | tiedustelu |
 |
IXFT52N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 | tiedustelu |
|
IXFT50N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT50N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 | tiedustelu |
 |
NTD20N06G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | tiedustelu |
 |
QS5U34TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 | tiedustelu |
 |
IXFT58N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | tiedustelu |
 |
FQA7N90M_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P | tiedustelu |
 |
TK34E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog