Ostaa IXFV12N80P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFV12N80P
- Osa numero:
- IXFV12N80P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18472 Pieces
- Tietolomake:
- IXFV12N80P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFV12N80P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFV12N80P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PLUS220 |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 850 mOhm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 360W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3, Short Tab |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXFV12N80P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2800pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 51nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 800V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS220 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 800V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFV12N80P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFV18N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 | tiedustelu |
|
IXFV12N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S | tiedustelu |
|
IXFV18N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD | tiedustelu |
 |
IXFV18N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220 | tiedustelu |
|
IXFV110N10PS | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S | tiedustelu |
|
IXFV12N120PS | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD | tiedustelu |
|
IXFV12N90PS | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD | tiedustelu |
|
IXFV16N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220 | tiedustelu |
 |
IXFV12N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220 | tiedustelu |
|
IXFV14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220 | tiedustelu |
|
IXFV16N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S | tiedustelu |
|
IXFV14N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S | tiedustelu |
|
IXFV15N100PS | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD | tiedustelu |
|
IXFV12N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers