IXFX180N25T
IXFX180N25T
Osa numero:
IXFX180N25T
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16477 Pieces
Tietolomake:
IXFX180N25T.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFX180N25T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFX180N25T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFX180N25T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PLUS247™-3
Sarja:GigaMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:12.9 mOhm @ 60A, 10V
Tehonkulutus (Max):1390W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFX180N25T
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:28000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:345nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 250V 180A (Tc) 1390W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):250V
Kuvaus:MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit