Ostaa IXFX20N120 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFX20N120
- Osa numero:
- IXFX20N120
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12826 Pieces
- Tietolomake:
- IXFX20N120.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFX20N120, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFX20N120 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 8mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PLUS247™-3 |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 750 mOhm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 780W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXFX20N120 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFX20N120
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247 | tiedustelu |
|
IXFX20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX220N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A PLUS247-3 | tiedustelu |
|
IXFX21N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3 | tiedustelu |
|
IXFX260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX210N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247 | tiedustelu |
|
IXFX240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX250N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 | tiedustelu |
|
IXFX24N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 | tiedustelu |
|
IXFX26N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers