Ostaa IXGH36N60B3C1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXGH36N60B3C1
- Osa numero:
- IXGH36N60B3C1
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- IGBT 600V 75A 250W TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18037 Pieces
- Tietolomake:
- IXGH36N60B3C1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXGH36N60B3C1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXGH36N60B3C1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 1.8V @ 15V, 30A |
| Testaa kunto: | 400V, 30A, 5 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 20ns/125ns |
| Switching Energy: | 390µJ (on), 800µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247AD (IXGH) |
| Sarja: | GenX3™ |
| Virta - Max: | 250W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXGH36N60B3C1 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | PT |
| Gate Charge: | 80nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT PT 600V 75A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH) |
| Kuvaus: | IGBT 600V 75A 250W TO247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 200A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 75A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXGH36N60B3C1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGH36N60B3 | IXYS | IGBT 600V 92A 250W TO247 | tiedustelu |
|
IXGH36N60B3D1 | IXYS | IGBT 600V 250W TO247AD | tiedustelu |
|
IXGH36N60B3D4 | IXYS | IGBT 600V 250W TO247 | tiedustelu |
|
IXGH30N120IH | IXYS | IGBT 1200V 50A TO-247 | tiedustelu |
|
IXGH36N60A3 | IXYS | IGBT 600V 220W TO247 | tiedustelu |
|
IXGH36N60A3D4 | IXYS | IGBT 600V 220W TO247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog