Ostaa IXTA182N055T7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTA182N055T7
- Osa numero:
- IXTA182N055T7
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13751 Pieces
- Tietolomake:
- IXTA182N055T7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTA182N055T7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTA182N055T7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263-7 (IXTA..7) |
| Sarja: | TrenchMV™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5 mOhm @ 25A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 360W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXTA182N055T7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4850pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 114nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 182A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 182A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTA182N055T7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA182N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA180N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 180A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA1N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA15N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 15A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA10P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA160N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 160A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA18P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 | tiedustelu |
 |
IXTA180N10T7 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7 | tiedustelu |
|
IXTA180N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA15P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 15A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | tiedustelu |
 |
IXTA12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 12A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA180N085T7 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7 | tiedustelu |
|
IXTA160N10T7 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 | tiedustelu |
 |
IXTA1N170DHV | IXYS | MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA180N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers