Ostaa IXTA26P10T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-263 (IXTA) |
Sarja: | TrenchP™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 13A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 150W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IXTA26P10T |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3820pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 52nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 100V 26A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 26A (Tc) |
Email: | [email protected] |