Ostaa IXTA3N100D2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTA3N100D2
- Osa numero:
- IXTA3N100D2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15386 Pieces
- Tietolomake:
- IXTA3N100D2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTA3N100D2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTA3N100D2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263 (IXTA) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V |
| Tehonkulutus (Max): | 125W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | 623496 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTA3N100D2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1020pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 37.5nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Depletion Mode |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 3A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTA3N100D2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA3N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA32P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 32A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA36P15P | IXYS | MOSFET P-CH 150V 36A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA3N150HV | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263 | tiedustelu |
 |
IXTA3N120HV | IXYS | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263 | tiedustelu |
|
IXTA32P05T | IXYS | MOSFET P-CH 50V 32A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA38N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 | tiedustelu |
 |
IXTA340N04T4-7 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 340A | tiedustelu |
|
IXTA3N120TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA3N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA32N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA3N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog