IXTA4N65X2
IXTA4N65X2
Osa numero:
IXTA4N65X2
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12176 Pieces
Tietolomake:
IXTA4N65X2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTA4N65X2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTA4N65X2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTA4N65X2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-263
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:850 mOhm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max):80W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXTA4N65X2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:455pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.3nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit