IXTA5N60P
IXTA5N60P
Osa numero:
IXTA5N60P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15784 Pieces
Tietolomake:
IXTA5N60P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTA5N60P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTA5N60P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTA5N60P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 50µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-263 (IXTA)
Sarja:PolarHV™
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.7 Ohm @ 2.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):100W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXTA5N60P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14.2nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit